Western Digital vyvíja flash pamäť, aby súťažila s optane

Obsah:
Spoločnosť Western Digital pracuje na vlastnej „flash pamäti“ s nízkou latenciou, ktorá ponúkne vyšší výkon a vytrvalosť v porovnaní s konvenčnými 3D NAND, ktoré boli napokon navrhnuté tak, aby konkurovali Intel Optane.
Nová pamäť spoločnosti Western Digital s technológiou LLF bude konkurovať Z-NAND a Optane
Na tomto týždňovom podujatí „Storage Field Day“ spoločnosť Western Digital diskutovala o svojej novej nízko latenčnej pamäti, ktorá sa momentálne vyvíja. Táto technológia je určená na použitie niekde medzi 3D NAND a konvenčnými DRAM, podobne ako Optane od spoločnosti Intel a Z-NAND od spoločnosti Samsung. Podľa Western Digital bude mať vaša LLF pamäť prístupový čas „v mikrosekundovom rozsahu“, pri použití architektúry 1 bit na bunku a 2 bit na bunku.
Výrobca pripúšťa, že jeho nová LLF pamäť bude stáť 10-krát menej ako DRAM, ale 20-krát viac ako 3D NAND pamäť (aspoň podľa súčasných odhadov), pokiaľ ide o ceny za GB, takže je pravdepodobné, že ju bude využívať iba Vyberte aplikácie zamerané na špičkové dátové centrá alebo pracovné stanice, podobné tým, ktoré už ponúkajú spoločnosti Optane a Z-NAND.
Spoločnosť Western Digital nezverejňuje všetky podrobnosti o svojej flash pamäti s nízkou latenciou a nie je možné povedať, či má niečo spoločné s nízko latenciou 3D XL-Flash NAND spoločnosti Toshiba, ktorá bola ohlásená minulý rok. Spoločnosť sa samozrejme nechce rozprávať o skutočných produktoch založených na ich pamäti LLF alebo kedy budú k dispozícii. Vzhľadom na vyššie uvedené náklady je ťažké si predstaviť, že tieto nové spomienky sa v krátkom čase dostanú k bežnému používateľovi.
V roku 2015 dorazí hádanka, aby súťažila s projektom Google ara

Circular Devices pripravuje modulárny smartfón na súťaž s projektom Google Ara, je to puzzle skladajúci sa z troch modulov
Spoločnosť Toshiba vyvíja prvú 4-bitovú nand qlc pamäť na bunku

Spoločnosť Toshiba dnes oznámila svoju novú pamäťovú technológiu NAND QLC s vyššou hustotou úložiska, ako ponúka TLC.
Sk hynix vyvíja pamäť 1drm 16 gb (gigabit) ddr4

SK hynix plánuje rozšíriť technologický proces 1Znm na celý rad aplikácií vrátane prenosných LPDDR5 DRAM a HBM3.