Uk iii-v pamäť, číslo pamäte

Vedci z Lancaster University vo Veľkej Británii boli úspešní vo svojom úsilí vytvoriť typ energeticky nezávislej flash pamäte, ktorá je taká rýchla ako DRAM, ale využíva iba 1% energie, ktorú moderná pamäť NAND alebo DRAM potrebuje. na zápis dátových bitov. Pamäť sa nazýva UK III-V Memory.

UK III-V Memory, energeticky nezávislá pamäť taká rýchla, ako DRAM spotrebuje 100-krát menej

Spotreba energie je približne 10 až -17 joulov pre dvere postavené v 20nm litografickom procese. Tranzistory s pamäťou III-V v Spojenom kráľovstve budú mať zvyčajne vypnutý stav a hradlový poplatok bude trvať približne 5ns, pričom vyprázdňovanie bude trvať 3ns, obe čísla sú veľmi slušné. Tieto čísla budú pravdepodobne po pridaní kontrolóra o niečo vyššie, ale to by stálo za kompenzáciu získanej efektívnosti.

Vývoj je stále v štádiu jednoduchého tranzistora, takže jeho premena na plne komerčný produkt je ešte ďaleko. Avšak dosiahnutie budovania stálej pamäte, ktorá je efektívna a dostatočne rýchla na to, aby mohla konkurovať DRAM, je celkom úspechom.

Mať energeticky nezávislú pamäť tak rýchlo ako DRAM je zaujímavé, pretože sa dá použiť na zostavenie počítačov, ktoré dokážu uchovávať údaje, ktoré v súčasnosti ukladáme v pamäti RAM, keď je systém úplne vypnutý, a preto ich možno obnoviť v okamihu, odkiaľ zostali. zo stavu úplného vypnutia. To by eliminovalo potrebu stavov spánku a tiež by umožnilo systémom vypnúť RAM v nečinnosti, čím by sa ďalej znížila spotreba energie.

Navštívte nášho sprievodcu o najlepšej pamäti RAM na trhu

Otázka, ktorá príde na myseľ, je, či UK III-V pamäť dokáže spracovať opakované prepisy, ktoré DRAM typicky podstúpi. Ak je opotrebenie problémom, mohlo by to zničiť akýkoľvek sen o počítači s energeticky nezávislou RAM.

Písmo Tomshardware