Sk hynix oznamuje svoju novú 8 MB spustenú ddr4 pamäť vytvorenú v 1ynme

Pamäťový gigant SK Hynix ohlásil vývoj svojej 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM pamäte, čo znamená, že môže byť vyrobený pomocou 14nm a 16nm litografie. Nový čip ponúka 20% zlepšenie produktivity v porovnaní s predchádzajúcou generáciou 1Xnm náprotivok a tiež viac ako 15% zlepšenie spotreby energie.

Nová SK Hynix 1Ynm 8 GB DDR4 RAM

Nový SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM podporuje rýchlosť prenosu dát až 3 200 Mbps, čo podľa spoločnosti predstavuje najrýchlejšiu rýchlosť spracovania dát na rozhraní DDR4. SK Hynix prijal schému „4-fázového časovania“, ktorá duplikuje hodinový signál, aby sa zvýšila rýchlosť a stabilita prenosu údajov.

Odporúčame vám prečítať si článok o pamäti RAM s chladičom alebo bez chladiča

SK Hynix tiež predstavila vlastnú technológiu „ Sense Amp Control “ vyvinutú na zníženie spotreby energie a chýb v údajoch. Vďaka tejto technológii bola spoločnosť schopná zlepšiť výkon senzorického zosilňovača. SK Hynix zlepšil štruktúru tranzistora, aby sa znížila možnosť chýb dát, čo je výzva, ktorá sprevádza zníženie technológie. Spoločnosť tiež do obvodu pridala zdroj nízkej spotreby energie, aby sa predišlo zbytočnej spotrebe energie.

Tento 1Gn a 8Gb DDR4 DRAM má pre zákazníkov spoločnosti optimálny výkon a hustotu, podľa slov viceprezidenta spoločnosti SK Hynix Sean Kim. SK Hynix plánuje začať s dodávkou od prvého štvrťroka budúceho roka, aby aktívne reagovala na dopyt na trhu. SK Hynix plánuje ponúkať technologický proces 1Ynm pre servery a počítače a potom pre ďalšie aplikácie, ako sú mobilné zariadenia.

Písmo Guru3d