Spoločnosť Samsung začína hromadnú výrobu svojej druhej generácie 10nm drámy

Spoločnosť Samsung je nepochybne jedným z najlepších výrobcov pamätí DRAM a NAND na svete. Teraz juhokórejský štát urobil nový krok vpred tým, že začal masovú výrobu svojej druhej generácie DRAM o 10 nm.

Spoločnosť Samsung už sériovo vyrába DRAM so svojou druhou generáciou 10nm

Gyoyoung Jin, prezident spoločnosti Samsung, oznámil, že spoločnosť už začala hromadnú výrobu nových pamäťových čipov DRAM pomocou druhej generácie svojho 10nm procesu. Táto nová technológia zvýši produktivitu o 30% v porovnaní s predchádzajúcim výrobným procesom pri 10 nm a súčasne sa zvýši výkon o 10%, zatiaľ čo energetická účinnosť tak dosiahne 15%.

RAMBUS hovorí o charakteristikách pamäte DDR5

Aby sa dosiahli tieto zlepšenia, technológia EUV sa nepoužíva, ale použili sa proprietárne techniky dizajnu spoločnosti Samsung. Spoločnosť tvrdí, že „ vzduchové dištančné prvky “ sa používajú na zníženie parazitickej kondenzácie, ktorá znížila nadmerné využívanie energie potrebnej na zvýšenie výkonu pamäťových buniek.

Nová DRAM druhej generácie spoločnosti Samsung s výkonom 10nm dokáže pracovať pri 3 600 Mbps, čo ponúka výrazné zlepšenie oproti 3 200 Mbps, ktoré súčasná pamäť ponúka. Ďalšia generácia pamäte DDR4 spoločnosti Samsung umožní výrobu vysokorýchlostných pamäťových súprav s menej extrémnymi procesmi združovania IC, čo by mohlo znížiť cenu vysokorýchlostnej pamäte DDR4.

Táto nová technika nie je exkluzívna iba pre DDR4, ale bude sa používať aj v budúcich štandardoch pamäte DRAM, ako sú HBM3, DDR5, GDDR6 a LPDDR5. Spoločnosť Samsung už teraz usilovne pracuje na tom, aby sa tieto nové typy pamätí uviedli na trh čo najskôr, a tým opäť posilnila svoje vedúce postavenie v tomto odvetví.

Písmo Overclock3d