Samsung hovorí o svojej technológii v

Nedávno sa v Japonsku konalo podujatie fóra Samsung SSD Forum, na ktorom juhokórejská spoločnosť odhalila prvé podrobnosti o svojich ďalších 96-vrstvových pamäťových jednotkách V-NAND založených na technológii QLC.

Spoločnosť Samsung poskytuje prvé informácie o svojej 96-vrstvovej V-NAND QLC pamäti

Používanie pamäte VLC-NAND QLC v porovnaní so systémom V-NAND TLC ponúka o 33% vyššiu hustotu úložného priestoru, a teda nižšie náklady na úložisko na GB, čo je veľmi dôležité, ak chcete, aby SSD úplne nahradili Mechanické pevné disky raz. Prvými diskami SSD spoločnosti Samsung, ktoré prijali svoju pamäť V-NAND QLC, budú vysokokapacitné modely pre tých zákazníkov, ktorí potrebujú ako prvé ukladať veľké množstvo údajov a ktorí sa nemusia zaujímať o maximálny výkon. tento typ bude za výhodami založenými na TLC.

Odporúčame prečítať si náš príspevok o najlepších SSD v okamihu SATA, M.2 NVMe a PCIe

Spoločnosť Samsung otvorene pracuje na diskoch U.2 SSD s ultravysokou kapacitou založených na pamäti V-NAND QLC už viac ako rok. Tieto disky sa budú používať pre aplikácie WORM (písať raz, čítať veľa) , ktoré nie sú optimalizované pre rýchle zápisy, ale jednoznačne prekonávajú polia založené na HDD. Spoločnosť Samsung očakáva, že jej prvé disky NVMe s QLC ponúknu sekvenčné rýchlosti čítania až 2 500 MB / s, ako aj 160 K náhodne načítaných IOPS.

Ďalšou líniou produktov Samsung založených na technológii V-NAND QLC budú spotrebiteľské SSD s kapacitou väčšou ako 1 TB. Tieto jednotky budú používať rozhranie SATA a budú ponúkať priepustnosť pri čítaní a zápise približne 520 MB / s. Spoločnosť Samsung neočakáva, že QLC V-NAND čoskoro nahradí TLC V-NAND ako primárny typ pamäte typu flash. NAND QLC vyžaduje nákladnejšie regulátory s podstatne vyššími schopnosťami spracovania, aby sa zabezpečila primeraná odolnosť.

Anandtech písmo