„T-lúče“ by mohli zrýchliť spomienky RAM až 1000-krát

Rovnako ako sa už vymýšľajú čipy budúcnosti založené na graféne, teraz je čas vylepšiť spomienky, ktoré dnes možno nájsť v akomkoľvek počítači. Skupina ruských a európskych vedcov pracuje na novej technológii nazývanej „T-lúče“ (terahertzové žiarenie), ktorá by zvýšila rýchlosť RAM až 1000-krát.

„T-lúče“ (terahertzové žiarenie) na zvýšenie rýchlosti pamäti RAM

Táto technológia bola študovaná a je publikovaná vo vedeckom časopise Nature Photonics. Terahertz alebo „T-ray“ žiarenie nie je nič nové, niečo podobné sa už používa v letiskových skeneroch, ale tentoraz by sa na pamäťové bunky použilo na zmenu ich funkcie.

Vedci dosiahli, že terahertzové žiarenie bolo aplikované na feromagnetický prvok s nízkou koercitivitou, takže boli schopní oveľa rýchlejšie zmeniť magnetické charakteristiky. Pri použití v pamäti RAM by to mohlo fungovať (odhadujú) až 1000-krát rýchlejšie.

Jednalo by sa o relatívne „lacnú“ reakciu na zlepšenie rýchlosti dnešnej pamäte RAM, ktorá sa v priebehu rokov zlepšuje s novými verziami (DDR, DDR2 DDR3, DDR4 atď.), Ale nie pri rýchlosti napríklad kariet. grafika.

Ako by mohli výrobcovia urobiť, aby implementovali túto technológiu pomocou magnetického poľa na RAM? Dnešok je záhadou