Pamäť 3d nand dosiahne v roku 2020 120 vrstiev
Obsah:
Sean Kang z Applied Materials hovoril o budúcich generáciách 3D NAND Flash na Medzinárodnom workshope o pamäti (IMW) v Japonsku. V pláne sa uvádza, že počet vrstiev v tomto type pamäte by sa mal zvýšiť na viac ako 140 a súčasne by mali byť čipy tenšie.
Pokroky v 3D NAND pamäti umožnia 120TB SSD
V 3D NAND pamäti nie sú pamäťové bunky na jednej rovine, ale na niekoľkých vrstvách nad sebou. Týmto spôsobom je možné výrazne zvýšiť úložnú kapacitu na čip (pole) bez toho, aby sa musela zväčšiť oblasť čipu alebo aby sa bunky museli zmenšiť. Takmer pred piatimi rokmi sa objavil prvý 3D NAND, V-NAND prvej generácie spoločnosti Samsung, ktorý mal 24 vrstiev. V ďalšej generácii sa použilo 32 vrstiev, potom 48 vrstiev. V súčasnosti väčšina výrobcov dosiahla 64 vrstiev, SK Hynix vedie so 72 vrstvami.
Odporúčame prečítať si náš príspevok o najlepších SSD diskoch SATA, M.2 NVMe a PCIe (2018)
Plán na tento rok hovorí o viac ako 90 vrstvách, čo znamená nárast o viac ako 40 percent. Zároveň by sa výška zásobníka mala zväčšiť iba o 20%, zo 4, 5 μm na približne 5, 5. Dôvodom je, že súčasne sa zníži hrúbka vrstvy z asi 60 nm na asi 55 nm. Úpravy dizajnu pamäťových buniek a technológie CMOS Under Array (CUA), ktoré už spoločnosť Micron použila v roku 2015, sú kľúčovými črtami tejto generácie.
Kangov plán vidí ďalší krok pre 3D NAND vo viac ako 120 vrstvách, čo sa má dosiahnuť do roku 2020. Do roku 2021 sa predpokladá viac ako 140 vrstiev a výška stohovania 8 μm, pre ktoré bude potrebné použitie nových materiálov. Plán sa nezaoberá úložnými kapacitami.
V súčasnosti výrobcovia dosahujú 512 gigabitov na matricu pomocou 64-vrstvovej technológie. S 96 vrstvami 768 gigabitov sa dosiahne spočiatku a so 128 vrstvami nakoniec 1024 gigabitov, takže je možné okolo jedného terabitu. Štvorbitová technológia QLC na bunku môže tiež umožniť terabitové čipy so štruktúrou 96 vrstiev. Spoločnosť Samsung to chce dosiahnuť pomocou piatej generácie modelu V-NAND a na tomto základe predstaví prvých 128 TB SSD.
Techpowerup písmoHynix Sk začína hromadnú výrobu svojich 72 vrstiev 3d nand
SK Hynix dokázal zvíťaziť v bitke a výrobný výkon jeho 72-vrstvovej 3D NAND pamäte sa dramaticky zvýšil.
Sk hynix už má 72 vrstiev a 512 gb nand chips
SK Hynix už disponuje 72-vrstvovými 3D NAND pamäťovými čipmi s kapacitou 512 Gb pre novú generáciu SSD.
Výrobcovia už plánujú výrobu 3D 120/128 vrstiev nand
Chipmakeri urýchlili vývoj svojich 120- a 128-vrstvových 3D NANDov na zvýšenie konkurencieschopnosti.
