Spoločnosť Hynix vydáva prvú 96-vrstvovú 512 GB Nand CTF 4d Flash pamäť
Obsah:
SK Hynix dnes uviedla na trh prvý 96-vrstvový 512Gb 96-vrstvový 4D NAND blesk (Charge Trap Flash). Tento nový typ pamäte typu flash je stále založený na technológii 3D TLC, ale SK Hynix pridal štvrtú dimenziu vďaka kombinácii technológie blesku s lapačom náboja v spojení s technológiou „PUC“ (Peri. Under Cell technology).
SK Hynix predstavil svoje nové 96-vrstvové 4D NAND spomienky
SK Hynix hovorí, že jej zameranie je (samozrejme) lepšie ako bežne používaný prístup 3D plávajúcich dverí. Dizajn čipu 4D NAND má za následok viac ako 30% zníženie veľkosti čipu a zvýšenie produktivity bitov na oblátky o 49% v porovnaní s 72-vrstvovou 3D NAND 512 Gb spoločnosti. Produkt má navyše o 30% vyššiu rýchlosť zápisu a o 25% vyššiu rýchlosť čítania údajov.
Šírka dátového pásma sa tiež zdvojnásobila, aby sa stala lídrom v tomto odvetví (veľkosťou) pri 64 kB. Rýchlosť I / O dát (vstup / výstup) dosahuje 1 200 Mbps (megabitov / s) s napätím 1, 2 V.
Prvé jednotky 1TB dorazia v roku 2019
Plánuje sa predstaviť spotrebiteľské jednotky s kapacitou do 1 TB spolu s ovládačmi a firmvérom SK Hynix. Spoločnosť plánuje v roku 2019 používať 1 Tb TLC a 96-vrstvové pamäťové čipy QLC.
Toto je budúcnosť diskov SSD s vylepšeniami na všetkých frontoch, zvýšenými schopnosťami a rýchlosťou čítania a zápisu.
Techpowerup písmoSpoločnosť Toshiba vyvíja prvú 4-bitovú nand qlc pamäť na bunku
Spoločnosť Toshiba dnes oznámila svoju novú pamäťovú technológiu NAND QLC s vyššou hustotou úložiska, ako ponúka TLC.
Spoločnosť Samsung oznamuje prvú 8 gp lpddr5 pamäť vyrobenú pri 10 nm
Spoločnosť Samsung dnes oznámila, že úspešne vyvinula prvý 10-nanometer LPDDR5 DRAM s kapacitou 8 GB. Spoločnosť Samsung dnes oznámila, že úspešne vyvinula priemyselnú prvú 10-nanometrovú LPDDR5 DRAM pamäť s kapacitou 8 GB.
Sk hynix už dodáva svoju 96vrstvovú qlc 4d nand flash pamäť
SK Hynix nazýva svoju technológiu 4D NAND, pretože využíva kombináciu technológie 3D Charge Trap Flash (CTF) a technológie Periphery Under Cell (PUC).
